【48812】北方华创“一种集成电路的制作工艺”专利获授权

  北京北方华创微电子配备公司获得“一种集成电路制作工艺”专利，选用高压力下的脱水氟化氢与醇类气体混合刻蚀二氧化硅，进步挑选比和功率，优化器材功能。

  天眼查显现，北京北方华创微电子配备有限公司近来获得一项名为“一种集成电路的制作工艺”的专利，授权公告号为CN113506731B，授权公告日为2024年7月23日，申请日为2016年10月8日。

  在集成电路制作工艺范畴，现在一般运用硅基资料制作集成电路，硅 (或许多晶硅)在空气中放置的状况下外表会天然氧化构成一层细密的二氧化硅(SiO2)层。在有些工艺中，例如，在金属硅化物(Silicide) 工艺中，金属镍铂(NiPt)薄膜要与硅衬底非直接触摸，假如衬底外表有一层 SiO2，则会添加电阻率，影响器材功能，因而，制作后续工艺前需求去除这层SiO2。而在去除这层SiO2的一起，有必要维护其他薄膜/结构不能被去除或许损害，隔离层(Spacer，由氮化硅(Si3N4)资料制作成)的线宽尺度会影响器材电性，如漏电(leakage)添加等。因而，需求在去除 SiO2的一起尽可能坚持隔离层(Spacer，Si3N4)不被去除。

  现有工艺多选用湿法刻蚀、等离子体干法刻蚀等办法去除SiO2，其对Si3N4的刻蚀挑选比低，对隔离层去除过多，形成隔离层尺度缩小，增大漏电，从而影响器材功能。

  因而，有必要开发一种应用于集成电路制作工艺中的高挑选比、高功率的去除晶片上的二氧化硅的办法。

  揭露于本创造布景技能部分的信息只是旨在加深对本创造的一般布景技能的了解，而不应当被视为供认或以任何方式暗示该信息构成已为本范畴技能人员所公知的现有技能。

  揭露了一种集成电路的制作工艺，包含：去除晶片上的二氧化硅的办法，该办法可包含：向工艺腔室内通入脱水的氟化氢气体和脱水的醇类气体；使所述脱水的氟化氢气体和脱水的醇类气体混合，生成气态的刻蚀剂；使所述刻蚀剂与所述工艺腔室内的晶片反响，并使所述工艺腔室内坚持高压状况以进步刻蚀挑选比；以及将所述反响的副产品从所述工艺腔室内抽出。依据本创造的集成电路的制作工艺中，去除晶片上的二氧化硅的办法经过使气态的刻蚀剂在高压力下与二氧化硅直接反响，并在反响后将反响产品抽出，完成高挑选比、高功率地去除二氧化硅。

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