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据悉，长江存储现已运用中微半导体设备公司的蚀刻设备、北方华创的堆积与蚀刻设备，以及拓荆科技的堆积设备，成功制作出3D NAND闪存芯片。
尽管长江存储仍继续依靠ASML和泛林集团等外国供货商供给要害东西，但我国国产半导体设备供货商渐渐的变多地承当了出产流程的大部分。
据彭博社报导，长江存储运用国产设备出产的最新NAND芯片在堆叠层数上做了相应的退让，比前期产品少了约70层，且产值较低。
彭博社以为，层数削减的原因是因为国产设备在制作的完好过程中呈现缺点。对芯片制作范畴稍有了解的人都知道，在前期制作阶段，这正常状况。
长江存储表明，长江存储正逐渐的提高产品功能，最新NAND产品中层数的改变与任何特定设备无关。跟着制作工艺、流程及经历的不断老练，长江存储会继续不断的添加堆叠层数。