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简要描述:
日本背后有美国的保护伞,所以美国对中国等国家进行制裁时,日本大多数都会配合。 日韩之间...
日本背后有美国的保护伞,所以美国对中国等国家进行制裁时,日本大多数都会配合。
日韩之间本来就因为日本2019年限制对韩半导体材料的出口,两国之间的关系紧张,而日本这次趁机对中方进行制裁。
这件事情发生后,国内的媒体们都在担心,如果日本今后不再将这些材料出口到我国,那我们将如何应对?
那么令日韩之间的关系如此紧张的半导体材料都有哪些,它们又是如何让日本对韩地产生绝对的制约地位?
2019年,日韩之间的贸易战正式打响,日本突然宣布对3种向韩国出口的半导体材料来管控,并表示未来甚至不再销售这3种材料。
工业上使用的光刻胶是韩国的SK精细化学公司的主打产品,在产业中占据着绝对的主导地位。
韩国生产此产品的企业主要是韩国群兴科技,该企业掌握着全球60%的市场占有率,在行业中居于绝对地位。
蚀刻机则是利用化学手段去除掉未被光刻胶覆盖的区域,从而对晶片进行刻蚀,使其形成所需图案的一种设备。
韩国生产此设备的企业主要是TriM公司,该企业在行业中同样占据着绝对地位。
日本此番“挑衅”,直接引发了韩国芯片企业产生很大的波动,若日本限制销售此材料,韩国芯片产业也会因缺少原材料而发生波动,甚至有极大几率会出现无法继续运营的问题。
尽管日本只是做出了限制销售此材料的举动,但韩国芯片产业依然面临着巨大的危机。
韩国三星电子是目前全球最大最先进的芯片厂商,长期以来始终致力于研发新款芯片以打开更广阔的市场空间。
由于缺少了关键原材料,三星电子将无法继续推进新款芯片的研发工作,可能会引起之后推出的新款芯片性能不佳,进而影响到三星电子的市场竞争力。
同时,由于半导体产业是韩国经济的支柱之一,如果韩国半导体产业受到重创,将会对整个国家的经济造成严重影响。
可以说,日本限制销售此材料,将不仅对韩国芯片企业造成非常大压力,更可能会影响到整个国家和地区的经济稳定。
我们需要有自己的半导体制造技术和相关材料,否则在遇上问题时就会束手无策。
其中日本公司占据全球光刻胶市场75.9%的份额,足以看出日本公司在技术方面领先一筹。
而中低端光刻胶中,日本公司占据44.3%,其他三个国家生产占据市场占有率总和只有32%。
因此,光刻胶在半导体生产的全部过程中起到至关重要的作用,其性质将对芯片质量产生重要影响。
例如,在24nm、14nm以及7nm等先进的技术节点上,光刻胶的选择将直接影响到所制造晶圆上每个晶体管之间的间距是否足够小。
在这种情况下,一些大型晶圆制造商已经发现,由于光刻胶质量的问题,他们没办法将晶体管尺寸缩小到一定阈值以下。
由此可见,在全球市场中,日本对于光刻胶方面已达到了将近绝对垄断的境地,这使他们对于价格和供货量拥有非常大的话语权和控制能力。
当时由于日韩两国关系已经紧张,日本趁其不备,对半导体等高科技领域进行入侵,加大了贸易限制力度,韩国也及时表现出改善两国关系的一定决心。
经过协商谈判后,日本解除了限制交易措施,但仍然不是绝对解除,只是把改变交易条件、限制销售数量等措施进行了适度让步,并没有完全放松贸易管控。
据有关人士称,在2023年,日本还计划将出口给韩国的半导体材料再次涨价,这一消息传出后引起了一致反对,因为这一决定背离了日韩之间的贸易应遵循的相关规则。
但日本并不顾及韩方对此事的不满,并照常执行,也就是说除了要提高价格之外,日本还不顾韩方反对,坚持将其立场延续至今。
根据双方达成的一致协议,二人已经132天不进行相关谈判,而此前只是140天谈判一次,为何如今直接停止谈判?
这样就说明日方并不想作出更多让步,并且有重新进行限制交易措施的可能性,这无疑会对韩国产生巨大的影响。
2020年,中国自研成功了9种光刻胶,随后在2022年年底,我国又突破了进口替代技术,并且有多家国内企业陆续进行了量产。
2023年5月份山东母林化学公司自研成功单组分193nm低功耗正胶,因为之前我国正在研发193nm光刻胶。
在该项成果出炉后,无论是在国际国内都引起了极大的轰动,因为国内首款量产正胶耗材已然浮现,也证明我国也已经具备研发193nm技术的能力。
接下来,以后我国在生产193nm光刻胶上也有了一定的发展前途,能更加进一步实现国产化生产。
而我国现阶段已经能够自主生产188nm负胶,这就等于我国已经取得一定突破,为后续研发193nm光刻膏奠定基础。
在这之中,我国主要研发人员已经表示,有信心在不久后实现193nm分子负胶相关物质稳定量产,同时有很多国内企业正在热情参加其中。
和中国相比,目前只有日本一家公司可以量产NDM,并且该公司已表明其未来将不再供应NDM,而NDM也是研究和量产193nm NAC所需的重要非专利1号物质。
因此,此国此时发布该公告,可见其想要逐步扩大其相关物质市场占有率,而如今中国已经能够批量生产188nm Regulation, 193nm Positive G, 193nm G-line Resist等,可以说我国现在在这一方面取得了较好的进展。
随着我国继续推进相关研究并努力实现193nm光刻胶和其他关键材料的大规模生产,中国在全球半导体材料产业中的地位将逐渐攀升,并有可能与其他领先国家竞争,同时我国也不再以以后只做这些NAC为目标,而是希望将这些技术推向更多其他领域,实现更广泛和深入的发展。
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