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现在国产光刻机（如上海微电子X600系列）分辨率最高为90nm，但经过
已能完结28nm芯片制作，并正向7nm工艺探究。2025年国产28nm光刻机估计进入商用阶段，这将为中芯世界等企业供给
，支撑7nm芯片的规模化出产。虽然国产光刻机与ASML的DUV光刻机（如1980i类型）仍有代差，但中芯世界经过囤积的ASML设备结合自主研制工艺，已完结7nm危险试产，良率达85%以上。
的批量交给，并使用于中芯世界产线。例如，前锋精科成为国内少量能供给7nm刻蚀设备要害工艺部件的厂商，显着下降对使用资料（Applied Materials）等美企的依靠。在薄膜堆积范畴，沈阳拓荆的PECVD设备已进入中芯世界供给链，支撑7nm芯片的介质层堆积需求。
中芯世界北京新产线（中芯京城）已选用40%以上国产设备，包含清洗、离子注入等环节。上海盛美半导体开发的整理洗刷设备可掩盖14nm以下工艺，下降对日本迪恩士（DNS）的依靠。
但光刻胶、高纯度硅片等资料国产化率仍缺乏40%，需加快与沪硅工业、南大光电等本乡企业的协同验证。
，削减对ARM架构的授权依靠。阿里平头哥的开源处理器内核已在中芯世界7nm工艺上完结流片验证。
国产EDA东西（如华大九霄）在7nm规划环节的掩盖率从缺乏10%提升至30%，但高阶仿真模块仍需与Synopsys协作。
国产设备的收购本钱比进口设备低30%-50%，例如北方华创刻蚀机价格仅为使用资料同种类型的产品的60%。若国产设备配套率提升至70%，7nm芯片制作本钱有望下降25%。
国产设备对7nm量产的影响出现部分打破、全体追逐的特征：
：在刻蚀、清洗等环节完结代替，支撑小规模量产，但光刻机、EDA等要害环节仍需依靠外部技能。
：若28nm光刻机量产且资料国产化率打破60%，7nm本钱可降至台积电同期水平的70%-80%，推进在无人驾驶、AI算力范畴的大规模使用。
：需在EUV代替技能（如纳米压印）、Chiplet规范拟定等范畴构成自主生态，才干线nm及以上工艺的全面国产化。
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